Equipamento de processo de semicondutor
Ferramentas de grafite de alta pureza em semicondutores, semicondutores compostos e indústria PV
Epitaxia e MOCVD:
Para fases de deposição de filme fino, como epitaxia ou MOCVD, a Mersen fornece equipamento de grafite ultra-puro usado para suportar substratos ou "wafers".
No centro do processo, este equipamento, receptores de epitaxia ou plataformas de satélite para o MOCVD, são primeiro submetidos ao ambiente de deposição:
- Alta temperatura.
- Alto Vácuo.
- Uso de precursores gasosos agressivos.
- Zero contaminação, ausência de peeling.
- Resistência a ácidos fortes durante operações de limpeza
Implantação iónica:
A técnica de implantação iônica é usada na indústria de semicondutores para modificar localmente a composição e as propriedades físicas de um substrato, especialmente quando agentes de dopagem como boro, fósforo e arsênico são introduzidos… Os eletrodos e telas de proteção de grafite nessas máquinas são submetidos a uma erosão significativa causada pelo bombardeamento iônico.
- O grafite fino e ultrafino de alta densidade da Mersen resiste muito bem à erosão.
- A Mersen também desenvolveu uma impregnação de carbono vítreo "VCI", para aumentar ainda mais a resistência dessas peças, reduzindo as emissões de partículas.
Grafite ultra-pura revestida com carbeto de silício
A Mersen atende a esses requisitos propondo equipamentos feitos de grafite ultra-pura revestida com carbeto de silício. Essas soluções dedicadas são fruto de nossa expertise em materiais e usinagem de precisão:
- Categorias de grafite ultra-puros verificados pelo ETV-ICP.
- A compatibilidade (CTE) dos nossas categorias de grafite com carbeto de silício garante a integridade a longo prazo do revestimento protetor.
- Nosso processo de usinagem de precisão é submetido a um exame tridimensional para garantir que o projeto de peças altamente complexas seja respeitado.
Fabricação de semicondutores
Contato Brasil
vendas.gs.brasil@mersen.com
Bairro Pinhal
CEP: 13315-000
Cabreúva - SP
+55 11 2348-2369
+55 11 2348-2360
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Documentação do produto
ETV-ICP OES - detecting limits for high purity carbon and graphite
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ETV-ICP OES - detecting limits for high purity carbon and graphitePurified graphite silicon carbide graphite enhancement
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